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                半导体

                合肥长鑫DRAM内存芯片投产 总投资约1500亿元

                作者:来源:中国万达娱乐报、万达娱乐信息产业网发布时间:2019-09-20 21:48我要评论

                9月20日,合肥长鑫在合肥召开的2019世☆界制造业大会上,宣布总投资约1500亿元的存储内存芯片自主制造项目投产。合肥长鑫现到底想干什么场展示了8Gb DDR4芯片,采用19纳米工艺生产,和国际主流DRAM工艺基本保持同步,一知道期设计产能每月12万片晶圆。

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                长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示,8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证,今年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也↘即将投产。

                根据长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱在日前举办的中国闪存技术峰会(CFMS)上的介绍,合肥长鑫基于授权所得的奇梦达相关技术和从》全球招揽的极具丰富经验的人才,长鑫存储借助先进的机台已经把原本奇梦达的46纳米 DRAM平稳推进到了10纳米级别。公司目前也已然开始了在EUV、HKMG和GAA等目前还没⌒ 有在DRAM上实现的新技术探索。

                2017年3月合肥长鑫▃12英寸项目一期厂房▓开工建设;2018年1月一期厂房建设完成开始设备安装;2018年底19纳米8GB DDR4工程样片下线。合肥长鑫的投产,将有助于我ξ国DRAM芯片实▼现进口替代。


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